IXFN 34N100
80
50
T J = 25 C
60
O
V GS =10V
9V
8V
7V
40
T J = 125 O C V GS =10V
9V
8V
7V
6V
6V
30
40
20
6V
20
10
5V
0
0
4
8
12
16
5V
20
0
0
5
10
15
20
25
2.2
V DS - Volts
Figure 1. Output Characteristics at 25 O C
V DS - Volts
Figure 2. Output Characteristics at 125 O C
2.0
1.8
V GS = 10V
T J = 125 O C
2.2
V GS = 10V
1.9
1.6
1.4
1.6
I D = 34A
T J = 25 C
1.2
O
1.3
I D =17A
1.0
0.8
0
10
20
30
40
50
1.0
25
50
75
100
125
150
Figure 3.
40
32
24
I D - Amperes
R DS(on) normalized to 0.5 I D25 value
vs. I D
50
40
30
Figure 4.
T J - Degrees C
R DS(on) normalized to 0.5 I D25
value vs. T J
T J = 125 o C
16
20
8
10
T J = 25 o C
0
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
T C - Degrees C
Figure 5. Drain Current vs. Case Temperature
? 2003 IXYS All rights reserved
V GS - Volts
Figure 6. Admittance Curves
相关PDF资料
IXFN34N80 MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B
IXFN360N10T MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
IXFN360N15T2 MOSFET N-CH 150V 310A SOT227
IXFN36N100 MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
IXFN36N110P MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B
IXFN38N100P MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
IXFN40N110P MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B
IXFN40N90P MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
相关代理商/技术参数
IXFN34N80 功能描述:MOSFET 34 Amps 800V 0.24 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN35N50 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs
IXFN360N10T 功能描述:MOSFET 360 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN360N15T2 功能描述:功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXFN36N100 功能描述:MOSFET 1KV 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN36N110P 功能描述:MOSFET 36 Amps 1100V 0.2400 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN36N60 功能描述:MOSFET 600V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN38N100P 功能描述:MOSFET 38 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube